【記者周葉／高雄報導】台灣應用晶體公司及其所屬集團與中山大學晶體研究中心簽訂「大尺寸氧化鎵晶體生長」專案合作，挹注5千萬，目標3年內成功生產6吋氧化鎵單晶塊材。

　中山大學材料與光電科學系教授、晶體研究中心主任周明奇指出，電動車、航太、通訊與能源應用發展，次世代化合物半導體材料需求高速起飛；繼氮化鎵、碳化矽後，另一寬能隙半導體材料氧化鎵成為明日之星。

　氧化鎵能承受更高電壓與臨界電場，電力損耗為矽的3400分之1、碳化矽的10分之1，材料透明、可導電的獨特性能，應用層面也更廣泛，相當具前瞻性。

　周明奇強調，中山大學晶體研究中心甫獲第二期教育部深耕研究中心支持，也是唯一能生長次世代半導體碳化矽的實驗室，去年已成功生長出直徑6吋的碳化矽晶體塊材，技轉台灣應用晶體及所屬集團。